• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:

    公开号:WO1989010909A1
    申请号:PCT/EP1989/000511
    申请日:1989-05-10
    公开日:1989-11-16
    发明作者:Joachim Maier；Pandiyan Murugaraj；Albrecht Rabenau
    申请人:Hoechst Ag；
    IPC主号:C04B41-00
    专利说明:
    [0001] Verfahren zum Erhöhen der Beständigkeit von Hoch-Tc-Supraleitern gegen Umgebungseinflüsse
    [0002] Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erhöhender Beständigkeit von Hoch-Tc-Supraleitern gegen Umgebungseinflüsse .
    [0003] Eine der Hauptschwierigkeiten, die einer breiteren technischen Anwendung der in jüngerer Zeit bekannt gewordenen Hoch-Tc-Supraleitern entgegensteht, ist die Unbeständigkeit dieser Materialien gegen Umgebungseinflüsse, insbesondere Feuchtigkeit.
    [0004] Durch die vorliegende Erfindung wird dieses Problem durch Einführen wasserabweisender Oberflächenschutzgruppen in die Oberfläche der Supraleitermaterialien ganz erheblich verringert, wenn nicht sogar praktisch behoben.
    [0005] Bei einer vorteilhaften Ausführungsform des vorliegenden
    [0006] Verfahrens wird ein Hoch-Tc-Supraleitermaterial in Form von Pulver , Körnern, dünnen Schichten oder Keramikkörpern mit einem Organohaiogensilan, wie ( CH3 ) 3SiCl behandelt . H2O, das an der Oberfläche des Supraleitermaterials adsorbiert ist , wird dabei unter HCl-Abspaltung beseitigt, wobei ( CH3 ) 3SiOH-Adsorbate entstehen. Oberflächenhydroxidgruppen (typische Oberflächengruppen von Oxiden) werden ebenfalls unter HCl-Abspaltung umgewandelt . Hierbei werden an der zu schützenden Oberfläche wasserabstoßende ( CH3 ) 3SiO-Gruppen gebunden. Das so behandelte Supraleitermaterial wird von Wasser nicht benetzt und zeigt eine im Vergleich zu unbehandeltem Material ganz erheblich höhere Beständigkeit gegen Umgebungseinflüsse. Bei einer bevorzugten Aus führungs form der vorliegenden
    [0007] Erfindung wird das gegen Umgebungseinflüsse zu schützende
    [0008] Supraleitermaterial vor der eigentlichen Oberflächenschutzbehandlung kurz mit H2O vorbehandelt . Dies geschieht zweckmäßigerweise durch Behandeln in einem feuchten, z. B.
    [0009] H2O-gesättigten Argonstrom. Dieser Verfahrensschritt ist besonders wirksam bei oxidischen Hoch-Tc-Suoraleitermaterϊalien, welche an zweiwertigem Element (E ) und ggf . an dreiwertigem Element (M ) leicht unterschüssig sind.
    [0010] Solche an E und ggf . M leicht unterschüssige Materialien sind in der deutschen Patentanmeldung P 38 05 954.1-45 vorgeschlagen und genauer beschrieben. Ein besonders bevorzugtes Material ist YBa 1 , 95Cu 3O 6, 45 + 0 ,25 Hier besteht auch nicht die Gefahr einer Ba (OH) 2- oder BaC03 -Bildung .
    [0011] BEISPIEL : Ein Suoraleitermaterial vom Typ YBa 2-y Cu 3 O x
    [0012] ( x etwas kleiner als 7 ) in Form von Pulver , Granulat, einer dünnen Schicht oder einem geformten, gesinterten Körper wird einige Minuten einem feuchten Argon-Strom ausgesetzt, getrocknet und dann ca. 1 Stunde in flüssiges Silan (CH3 ) 3 SiCl eingetaucht. Anschließend werden das überschüssige Silan und die gebildete Chlorwasserstoffsäure HCl unter Unterdruck entfernt.
    [0013] Die in dieser Weise " imprägnierten" supraleitenden Oxide sind deutlich wasserabweisend und werden von flüssigem Wasser nicht benetzt. Nach einwöchiger Behandlung mit H2O wurde noch keine wesentliche Verschlechterung der Eigenschaften beobachtet .
    [0014] Anstelle des oben erwähnten Trimethylchlorsilans können selbstverständlich auch andere geeignete Alkylhalogensilane oder auch Halogenkohlenwasserstoffe wie tertiäres Butylchlorid, (CH3 ) 3CC1 , verwendet werden.
    权利要求:
    Claims PATENTANSPRÜCHE
    1. Verfahren zur Erhöhung der Beständigkeit von Hoch-T c Supraleitern gegen Umgebungseinflüsse, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des Supraleiters mit wasserabweisenden Oberflächenschutzgruppen versehen wird.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Supraleiter mit einem Halcgenkohlenwasserstoff oder einem Organohalogensilan, insbesondere einem Alkylhalogensilan, behandelt wird.
    3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Supraleiter mit (CH3)3SiCl behandelt wird.
    4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Supraleiter vor der Oberfiächenschutzbehandlung mit H2O vorbehandeit wird.
    5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorbehandlung mit einem feuchten Inertgasstrom erfolgt.
    6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Supraleiter ein oxidisches Material ist.
    7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Supraleitermaterial einen unterstöchiometrischen Anteil an zweiwertigem Element enthält.
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    JPH04501700A|1992-03-26|
    DE3816029A1|1989-11-16|
    EP0413740A1|1991-02-27|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1989-11-16| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): JP US |
    1989-11-16| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT BE CH DE FR GB IT LU NL SE |
    1990-10-27| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1989905673 Country of ref document: EP |
    1991-02-27| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1989905673 Country of ref document: EP |
    1993-05-10| WWW| Wipo information: withdrawn in national office|Ref document number: 1989905673 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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